項目編號：Dlmu-FS-20240263
項目名稱：GaN晶圓加工
公示時間：2024年07月03日- 2024年07月08日
擬成交單位 ：無錫起東電子科技有限公司
采購預算：93900元
采購內容：E-mode GaN 集成晶圓3片，藍寶石襯底 2片，硅襯底1片。光罩版數據提供甲方無償使用。實現耐壓250V和350V。 |
技術指標如下：
350V emode GaN
參數 | 描述 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
GaN FET 特性 |
BVDSS | 漏源耐壓 | VGS=0V,VDS=350V | 350 |
|
| V |
IDSS | 漏源漏電流 | VGS=0V,VDS=350V |
| 0.2 | 25 | uA |
RDSON | 導通電阻 | Vgate=6V, IDS=4A TC=27℃ |
| 87 | 100 | mΩ |
VSD | 源漏的反向導通電壓 | VPWM=6V, ISD=4A |
| 3.5 | 5 | V |
QOSS | 輸出電荷 | VDS=350V, VPWM=0V |
| 19 |
| nC |
QRR | 反向恢復電荷 | VDS=350V, VPWM=0V |
| 0 |
| nC |
Coss | 輸出電容 | VDS=350V, VPWM=0V |
| 21 |
| pF |
250V emode GaN
參數 | 描述 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
GaN FET 特性 |
BVDSS | 漏源耐壓 | VGS=0V,VDS=250V | 250 |
|
| V |
IDSS | 漏源漏電流 | VGS=0V,VDS=250V |
| 0.2 | 25 | uA |
RDSON | 導通電阻 | Vgate=6V, IDS=4A TC=27℃ |
| 87 | 100 | mΩ |
VSD | 源漏的反向導通電壓 | VPWM=6V, ISD=4A |
| 3.5 | 5 | V |
QOSS | 輸出電荷 | VDS=250V, VPWM=0V |
| 21.5 |
| nC |
QRR | 反向恢復電荷 | VDS=250V, VPWM=0V |
| 0 |
| nC |
Coss | 輸出電容 | VDS=250V, VPWM=0V |
| 24 |
| pF |
單一來源理由：本次采購的器件加工需要在藍寶石襯底上采用獨有的多緩沖層制備技術實現增強型氮化鎵器件。此外，部分設計器件的加工需要兼顧考慮抗輻射加固工藝條件。由于委托加工GaN晶圓數量只有3片，數量太少，foundry不會單獨給我們進行加工，只能委托具有相同類型GaN器件加工需求的公司，搭載其訂單實現。經調研，無錫起東電子科技有限公司在氮化鎵半導體器件領域具有豐富的工藝開發和整合經驗，適于承接該類研發器件代工工藝技術支持與搭載流片服務（特別適合于具有實驗性質的器件流片），是目前唯一能夠滿足用戶要求并愿意提供加工服務的廠家。因此，擬采用單一來源采購方式。
論證小組成員：曹菲,包夢恬,宋延興
有關單位或個人如對本項目采用校內單一來源采購方式有異議，應在公示期內以書面形式向大連海事大學招投標與采購中心反映。
聯系人：崔老師
聯系電話：84729221
國有資產與實驗室管理處
招投標與采購中心
2024年07月03日
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