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采購內(nèi)容：方案一工藝: 清洗:標(biāo)準(zhǔn)RCA清洗   PECVD:采用PECVD技術(shù)積300nm的SiO2 陰極金屬金屬沉積:電子束蒸發(fā)工藝Ti/Au(5/100nm)，工作真空:5E-4Pa 刻蝕：SiO2場板介質(zhì)的光刻與刻蝕 肖特基預(yù)處理A.清洗：B.過刻蝕后處理：C.預(yù)處理：最后在400℃下進(jìn)行5min的O2處理 ALD:利用ALD生長5nm的TiN作為氧化鎵與肖特基金屬之間的夾層 陽極金屬金屬沉積:電子束蒸發(fā)工藝Cu/Au(100/200nm)，工作真空:5E-4Pa 退火:器件制備完成后，在N2氣氛下，退火溫度為300℃、400℃、500℃，退火的時間為5分鐘，退火結(jié)束后待樣品冷卻后取出，防止樣品被熱氧化 劃片:將四吋氧化鎵品圓切割成8mmx8mm的小片 方案二工藝: 清洗:標(biāo)準(zhǔn)RCA清洗 PECVD:采用PECVD技術(shù)積300nm的SiO2 陰極金屬金屬沉積:電子束蒸發(fā)工藝Ti/Au(5/100nm)，工作真空:5E-4Pa 刻蝕：SiO2場板介質(zhì)的光刻與刻蝕 肖特基預(yù)處理A.清洗：B.過刻蝕后處理：C.預(yù)處理：最后在400℃下進(jìn)行5min的O2處理。 ALD:利用ALD生長5nm的TiN作為氧化鎵與肖特基金屬之間的夾層 陽極金屬金屬沉積:電子束蒸發(fā)工藝Ni/Au(100/200nm)，工作真空:5E-4Pa 退火:器件制備完成后，在N2氣氛下，退火溫度為300℃、400℃、500℃，退火的時間為5分鐘，退火結(jié)束后待樣品冷卻后取出，防止樣品被熱氧化 劃片:將四吋氧化鎵品圓切割成8mmx8mm的小片 方案三工藝: 清洗:標(biāo)準(zhǔn)RCA清洗 PECVD:采用PECVD技術(shù)積300nm的SiO2 陰極金屬金屬沉積:電子束蒸發(fā)工藝Ti/Au(5/100nm)，工作真空:5E-4Pa 刻蝕：SiO2場板介質(zhì)的光刻與刻蝕 肖特基預(yù)處理A.清洗：B.過刻蝕后處理：C.預(yù)處理：最后在400℃下進(jìn)行5min的O2處理。 ALD:利用ALD生長5nm的TiO2作為氧化鎵與肖特基金屬之間的夾層 陽極金屬金屬沉積:電子束蒸發(fā)工藝Cu/Au(100/200nm)，工作真空:5E-4Pa 退火:器件制備完成后，在N2氣氛下，退火溫度為300℃、400℃、500℃，退火的時間為5分鐘，退火結(jié)束后待樣品冷卻后取出，防止樣品被熱氧化 劃片:將四吋氧化鎵品圓切割成8mmx8mm的小片 方案四工藝: 清洗:標(biāo)準(zhǔn)RCA清洗 PECVD:采用PECVD技術(shù)積300nm的SiO2 陰極金屬金屬沉積:電子束蒸發(fā)工藝Ti/Au(5/100nm)，工作真空:5E-4Pa 刻蝕：SiO2場板介質(zhì)的光刻與刻蝕 肖特基預(yù)處理A.清洗：B.過刻蝕后處理：C.預(yù)處理：最后在400℃下進(jìn)行5min的O2處理 ALD:利用ALD生長5nm的TiO2作為氧化鎵與肖特基金屬之間的夾層 陽極金屬金屬沉積:電子束蒸發(fā)工藝Ni/Au(100/200nm)，工作真空:5E-4Pa 退火:器件制備完成后，在N2氣氛下，退火溫度為300℃、400℃、500℃，退火的時間為5分鐘，退火結(jié)束后待樣品冷卻后取出，防止樣品被熱氧化 劃片:將四吋氧化鎵品圓切割成8mmx8mm的小片 第一次測試內(nèi)容： 選擇測試的電極尺寸：425μm，5個電極最中間的那個   IV    BV （1）結(jié)構(gòu):Cu/Cr/Au （2）結(jié)構(gòu):Cr/Cu/Cr/Au （3）結(jié)構(gòu):Al2O3/Cu/Cr/Au  第二次后續(xù)重新退火+電學(xué)測試： A.退火： 選擇之前三個結(jié)構(gòu)中100℃退火的樣品片重新進(jìn)行氮?dú)鈿夥障?span lang="EN-US">450℃快速熱退火。 B.電學(xué)測試： （1）對Cu/Cr/Au和Al2O3/Cu/Cr/Au兩種結(jié)構(gòu)中未退火的樣品片，選擇425μm尺寸的電極進(jìn)行IV，BV測試。   （2）對Cu/Cr/Au和Al2O3/Cu/Cr/Au兩個結(jié)構(gòu)中重新進(jìn)行450℃快速熱退火的兩個樣品，選擇425μm尺寸的電極進(jìn)行IV，BV測試。